在北京市科委納米專項支持下，北京大學化學與分子工程學院李彥教授課題組在單壁碳納米管手性可控生長研究上取得重要突破，為碳納米管的應用，尤其是碳基電子學的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。
　　據(jù)預測，基于硅基CMOS集成電路的微電子技術(shù)在未來十年左右將趨近于發(fā)展的極限，發(fā)展后摩爾時代的納電子技術(shù)已迫在眉睫。2009年，國際半導體路線圖委員會推薦基于碳納米管和石墨烯的碳基電子學技術(shù)作為未來10-15年可能顯現(xiàn)商業(yè)價值的新一代電子技術(shù)。材料是碳基電子學發(fā)展的基礎(chǔ)和關(guān)鍵，然而迄今科學家仍無法實現(xiàn)碳納米管的結(jié)構(gòu)可控生長，這已經(jīng)成為制約碳基電子學發(fā)展的瓶頸問題。
　　單壁碳納米管可看作是由石墨烯沿一定方向卷曲而成的空心圓柱體，根據(jù)卷曲方式(通常稱為“手性”)的不同，可以是金屬性導體或帶隙不同的半導體。這是碳納米管的一個獨特而優(yōu)異的性質(zhì)，但同時也是碳納米管制備上的巨大挑戰(zhàn)。用一般方法合成的樣品均為不同結(jié)構(gòu)的碳納米管組成的混合物，而單一手性單壁碳納米管的選擇性生長成為一個難題。
　　李彥教授課題組經(jīng)過十二年的潛心研究，逐步深化了對碳納米管的生長機制和催化劑作用的認識，在此基礎(chǔ)上提出了一種實現(xiàn)單壁碳納米管結(jié)構(gòu)/手性可控生長的方案。該課題組發(fā)展了一類鎢基合金催化劑，其高熔點的特性確保了單壁碳納米管在高溫環(huán)境下的生長過程中保持晶態(tài)結(jié)構(gòu)，其獨特的原子排布方式可用來調(diào)控生長的碳納米管的結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)了單壁碳納米管的結(jié)構(gòu)/手性可控生長，利用這種方法生長出了含量高于92%的（12, 6）型碳納米管。通過調(diào)控催化劑的結(jié)構(gòu)，課題組還實現(xiàn)了（16,0）和（14,4）碳納米管的選擇性生長，更多的實驗結(jié)果表明該方法具有普適性，相關(guān)研究成果發(fā)表在6月26日的《自然》雜志 。