近日，由中國(guó)計(jì)量院舉辦的“微電子和石墨烯產(chǎn)業(yè)中的測(cè)量、計(jì)量與表征”研討會(huì)在昌平院區(qū)召開。此次研討會(huì)以微電子產(chǎn)業(yè)和石墨烯產(chǎn)業(yè)對(duì)測(cè)量、計(jì)量和表征技術(shù)的需求為主要研討內(nèi)容，關(guān)注所涉及的測(cè)量與表征技術(shù)的發(fā)展前沿、關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)業(yè)需求，來自中國(guó)、美國(guó)、英國(guó)、德國(guó)、法國(guó)、日本、澳大利亞等十幾個(gè)國(guó)家或地區(qū)的計(jì)量院、研究院、高校、企業(yè)的50多名代表參會(huì)。
　　首先，中國(guó)計(jì)量院科管部負(fù)責(zé)人介紹了此次研討會(huì)的舉辦背景和中國(guó)計(jì)量院的相關(guān)情況。包括中國(guó)計(jì)量院在內(nèi)的國(guó)內(nèi)外產(chǎn)、學(xué)、研、用單位的10位相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜易隽舜髸?huì)報(bào)告。報(bào)告內(nèi)容涵蓋：石墨烯產(chǎn)業(yè)發(fā)展與對(duì)標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)量的需求與研究；多層石墨烯層數(shù)表征；基于橢偏光度法的薄膜物性表征；硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的計(jì)量討論；納米存儲(chǔ)芯片工程化中的測(cè)量與表征；中國(guó)計(jì)量院有關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可溯源幾何量測(cè)量的研究；基于高分辨透射電鏡和掃描電鏡背散射衍射法對(duì)半導(dǎo)體微器件和薄膜應(yīng)力/應(yīng)變的測(cè)量；掠入射X射線反射法測(cè)納米級(jí)薄膜的膜厚；光譜儀在半導(dǎo)體、石墨烯中的應(yīng)用。
　　報(bào)告后，國(guó)外代表表示中國(guó)石墨烯與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展與不斷提高的技術(shù)水平出乎意料，參會(huì)代表就相關(guān)問題進(jìn)行了熱烈的交流與討論。隨后，與會(huì)代表參觀了中國(guó)計(jì)量院昌平院區(qū)新材料實(shí)驗(yàn)室。
　　通過主辦此次研討會(huì)，中國(guó)計(jì)量院促進(jìn)了科研人員與企業(yè)的交流。一方面企業(yè)了解到測(cè)量表征的新技術(shù)，同時(shí)科研人員也開闊了思路與眼界，了解了微電子產(chǎn)業(yè)和石墨烯產(chǎn)業(yè)對(duì)測(cè)量與表征技術(shù)的需求，為更緊密地圍繞產(chǎn)業(yè)需求進(jìn)行科學(xué)研究，促進(jìn)產(chǎn)、學(xué)、研相結(jié)合奠定了基礎(chǔ)。