中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室、低維半導體材料與器件北京市重點實驗室，在科技部、國家自然科學基金委及中科院等項目的支持下，經(jīng)過努力探索，制備成功太赫茲量子級聯(lián)激光器系列產(chǎn)品。

　　太赫茲(THz)量子級聯(lián)激光器是一種通過在半導體異質結構材料的導帶中形成電子的受激光學躍遷而產(chǎn)生相干極化THz輻射的新型太赫茲光源。半導體材料科學重點實驗室經(jīng)過多年的基礎研究和技術開發(fā)，目前推出系列太赫茲量子級聯(lián)激光器產(chǎn)品。頻率覆蓋2.9~3.3 THz，工作溫度10~90 K，功率5~120mW。

　　太赫茲波介于中紅外和微波之間，是一種安全的具有非離化特征的電磁波。它能夠穿透大多數(shù)非導電材料同時又是許多分子光學吸收的特征指紋光譜范圍。它的光子能量低(1 THz對應的能量大約4meV)，穿透生物組織時不會產(chǎn)生有害的光電離和破壞，在應用到對生物組織的活體檢驗時，比X光更具優(yōu)勢。它的波長比微波短，能夠被用于更高分辨率成像。THz波在分子指紋探測、診斷成像、安全反恐、寬帶通訊、天文研究等方面具有重大的科學價值和廣闊的應用前景。

圖為半導體研究所制備成功太赫茲量子級聯(lián)激光器系列產(chǎn)品