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硅激光向中紅外光“挺進(jìn)”

發(fā)布時(shí)間:2008-05-05 作者: 來源: 瀏覽:733


      研究人員在近期在線出版的《自然?光子學(xué)》(Nature Photonics)期刊上報(bào)道,將硅激光的運(yùn)行波長(zhǎng)從近紅外擴(kuò)展到中紅外光的可能性得到了極大提升。
 
      在醫(yī)學(xué)診斷和環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域,非常需要一種便宜、高能量、運(yùn)行波段在中紅外光范圍(2微米~5微米)的硅半導(dǎo)體激光,但目前還沒有這種激光。
 
      Haisheng Rong和同事的研究顯示,利用“級(jí)聯(lián)拉曼激光”的硅芯片激光也許能滿足這樣的需求。盡管硅拉曼激光早已存在,但其運(yùn)行波長(zhǎng)一直局限在1.6微米之間。
 
      Rong的研究小組成功顯示,在一個(gè)硅波導(dǎo)中利用兩次而不是一次拉曼效應(yīng),就可能創(chuàng)造出一種硅芯片激光,它能在1.848微米的波長(zhǎng)范圍內(nèi)釋放出毫瓦級(jí)能量。這是迄今為止所報(bào)道的波長(zhǎng)最長(zhǎng)的硅激光,激光的波長(zhǎng)令人滿意地接近紅外光窗口。人們樂觀地期望,通過設(shè)計(jì),有可能制造出運(yùn)行波長(zhǎng)更長(zhǎng)的激光。

  

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