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極紫外光刻技術(shù)研發(fā)取得突破

發(fā)布時(shí)間:2008-07-23 作者: 來(lái)源: 瀏覽:679

      美國(guó)加州大學(xué)研究人員9日表示,他們?cè)谂c西盟公司合作為下一代極紫外光刻(EUVL)開(kāi)發(fā)激光光源的研究中發(fā)現(xiàn),利用二氧化碳激光器系統(tǒng)可以獲得極紫外光刻所需的極紫外光。他們相信,這項(xiàng)突破性發(fā)現(xiàn)有望幫助半導(dǎo)體工業(yè)尋找到在芯片上存儲(chǔ)更多信息的方法,從而迅速提高電子設(shè)備的性能。
 
  目前,全球半導(dǎo)體公司均致力于極紫外光刻技術(shù)的開(kāi)發(fā),將其視為制造特征尺寸為32納米或更小微芯片的光刻工具。盡管近來(lái)科學(xué)家在該領(lǐng)域取得巨大進(jìn)步,但在將極紫外光刻用于低成本大規(guī)模生產(chǎn)上仍存在挑戰(zhàn)。在當(dāng)今半導(dǎo)體光刻過(guò)程中,光源從激光器中輸出后直接透過(guò)掩膜作用于晶圓(wafer)。而在極紫外光刻過(guò)程中,激光器產(chǎn)生的極紫外光先射向掩膜版,再作用于晶圓。這種間接方式效率更低,意味著可能需要輸出功率更大和更昂貴的激光器。
 
  加州大學(xué)機(jī)械和航空航天工程科學(xué)家馬克?泰雷克領(lǐng)導(dǎo)的研究小組發(fā)現(xiàn),讓極紫外光刻的光源???二氧化碳激光系統(tǒng)輸出長(zhǎng)脈沖光,其工作性能不僅與短脈沖光的相當(dāng),而且能讓系統(tǒng)更有效、更簡(jiǎn)單和更廉價(jià)。泰雷克說(shuō),二氧化碳激光器有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn),一是造價(jià)低易操作,二是能方便快捷地從輸出激光轉(zhuǎn)為輸出極紫外光。他表示,長(zhǎng)脈沖工作的有效性表明二氧化碳激光系統(tǒng)可以更廉價(jià)地制造和運(yùn)行極紫外光刻設(shè)備。
 
  泰雷克指出,極紫外光刻具有眾多潛在的應(yīng)用,包括閃存卡的生產(chǎn),未來(lái)閃存卡的存儲(chǔ)密度會(huì)越來(lái)越大。他說(shuō),如果能夠廉價(jià)產(chǎn)生存儲(chǔ)量達(dá)200G(千兆)的閃存卡,硬盤或許將從市場(chǎng)上淘汰出局。他還表示,該成果有可能為獲得先進(jìn)光源開(kāi)辟新的道路。

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