傳統存儲器件僅能存儲“0”、“1”兩位值，而美國賓夕法尼亞大學研究人員研制的一種以納米線為基礎的新型信息存儲器件卻能存儲“0”、“1”和“2”3位數值。這一創(chuàng)造可能催生新一代高性能信息存儲器。相關研究發(fā)表在近日《納米快報》在線版上。
 
　　賓夕法尼亞大學工程與應用科學系助理教授里奇?阿加沃稱：“用納米線制造電子存儲器有很多優(yōu)點，類似于我們制造的非二進制形式的納米線存儲器可能會使未來存儲器件的存儲密度大大增加?！?BR> 
　　與以晶體管為基礎的傳統存儲器一樣，以納米線為基礎的傳統存儲器一直以二進制為發(fā)展方向。而以納米線為基礎的非二進制存儲器存儲密度更大，用更少的納米線就可獲得驚人的存儲能力。這將使需要具有存儲能力的電子器件，也幾乎是所有電子器件，變得更加緊湊。另外，更少的納米線也意味著制造工藝會更加簡單。
 
　　研究人員所使用的納米線具有一種“核殼”結構，它恰似同軸電纜，由兩種相變材料組成。納米線的中心部位是鍺/銻/碲化合物，而圓柱殼由碲化鍺組成。
 
　　存儲過程中的相變通過向納米線施加脈沖電場獲得。這一過程會加熱納米線，使其核心和殼結構由晶態(tài)（有序）變?yōu)榉蔷B(tài)（無序）。這兩種狀態(tài)對應著兩種不同的電阻：低電阻與核心和殼結構同處晶態(tài)相對應；高電阻與它們同處非晶態(tài)相對應。而這些電阻又代表著3位值中的兩位。
 
　　第三種則與納米線核心部位處于非晶態(tài)，而殼結構處于晶態(tài)（或與此相反）相對應，其結果是產生位于高電阻和低電阻之間的中間電阻。
 
　　納米線是很好的信息存儲介質，可通過改變其直徑及其他可控性能來獲得優(yōu)越的存儲效果。另外，在制造技術上，還能采用“自下而上”的方式將納米線制成信息存儲器，即利用微小結構的自然特征，使其自組裝成較大的結構。這種方法可以打破傳統“由上而下”制造方法所面臨的限制，例如通過堆積納米線薄膜將電路復制到硅晶片上的方法。
 
　　阿加沃和他的同事們計劃在未來繼續(xù)探討納米線規(guī)格及其化學成分可能對其電子性能的影響，藉此發(fā)現可能具有全新特征的電子器件。