巨磁阻效應(yīng)發(fā)現(xiàn)者榮膺2007年度諾貝爾物理學(xué)獎。英飛凌現(xiàn)已開始利用這種效應(yīng)測量汽車轉(zhuǎn)向角度，成為全球首家開始批量生產(chǎn)集成巨磁阻傳感器(iGMR) 的半導(dǎo)體供應(yīng)商。英飛凌的傳感器可異常精確地測量0°到360°的轉(zhuǎn)向角度，包含兩個GMR全橋、一個溫度傳感器、兩個模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)個穩(wěn)壓器、濾波器以及在運行過程中能連續(xù)監(jiān)控這些組件的內(nèi)部機制。

　　英飛凌傳感器芯片TLE 5010具備兩個數(shù)字角度分量――正弦函數(shù)和余弦函數(shù)。通過SPI接口連接傳感器的8位微控制器利用這些分量計算實際的角度信號。傳感器與微控器之間采用數(shù)字方式傳輸數(shù)據(jù)，提高了抗干擾性，此外，集成的溫度傳感器還可起到補償?shù)淖饔?，確保在-40 °C至+150 °C的溫度范圍內(nèi)獲得非常精確的轉(zhuǎn)向角度。

　　GMR效應(yīng)是由幾納米厚的多層金屬膜的磁場產(chǎn)生的電阻變化導(dǎo)致的。簡單來說，該金屬膜由具備固定的穩(wěn)定磁化方向(參考方向)的參考層和磁化方向由外部磁場決定(如指南針)的傳感層構(gòu)成。傳感層和參考層通過僅為幾個原子厚的銅層隔開，從而產(chǎn)生 GMR效應(yīng)。施加的磁場和傳感器參考層之間的角度決定了金屬膜的電阻變化。英飛凌成功地按照所需的精確度將這些層融入半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造工藝 。

　　英飛凌傳感器銷售高級主管Frank Bauche表示：“就高度集成的創(chuàng)新傳感器而言，英飛凌取得了杰出的技術(shù)成果。我們通過將GMR效應(yīng)用于汽車應(yīng)用，大大提高了轉(zhuǎn)向精度。目前，我們正在開發(fā)更智能的傳感器，幫助改善汽車的安全性，提高燃油效率和減少廢氣排放?！?/P>